- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录456 > IXFR21N100Q (IXYS)MOSFET N-CH 1KV 18A ISOPLUS247 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFR21N100Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1KV 18A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 500 毫欧 @ 10.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 170nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 350W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM Power MOSFETs
ISOPLUS247 TM
(Electrically Isolated Back Surface)
IXFR 21N100Q
V DSS
I D25
R DS(on)
= 1000 V
= 18 A
= 0.50 ?
N-Channel Enhancement Mode, Low Q g,
High dv/dt, Low t rr , HDMOS TM Family
t rr ≤ 250 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
ISOPLUS 247 TM
E153432
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
1000
1000
V
V
V GS
V GSM
Continuous
Transient
± 20
± 30
V
V
Isolated backside*
I D25
I DM
I AR
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Note 1
T C = 25 ° C
18
84
21
A
A
A
G = Gate
S = Source
D = Drain
E AR
E AS
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s
60
2.5
10
350
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
mJ
J
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
* Patent pending
Features
Silicon chip on Direct-Copper-Bond
substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
IXYS advanced low Q g process
Low gate charge and capacitances
- easier to drive
-faster switching
V ISOL
Weight
50/60 Hz, RMS
t = 1 min
2500
5
V~
g
Low drain to tab capacitance(<30pF)
Low R DS (on) HDMOS TM process
Rugged polysilicon gate cell structure
Rated for Unclamped Inductive Load
Switching (UIS)
Fast intrinsic Rectifier
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
Applications
DC-DC converters
Battery chargers
V DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = 0 V, I D = 1mA
V DS = V GS , I D = 4mA
V GS = ± 20 V, V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = I T
Notes 2, 3
T J = 125 ° C
1000
3
V
5 V
± 100 nA
100 μ A
2 mA
0.5 ?
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
DC choppers
AC motor control
Advantages
Easy assembly
Space savings
High power density
? 2003 IXYS All rights reserved
DS98723B(01/03)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFR230N20T | MOSFET N-CH 200V 156A ISOPLUS247 |
| IXFR24N100Q3 | MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247 |
| IXFR24N100 | MOSFET N-CH 1KV 22A ISOPLUS247 |
| IXFR24N90P | MOSFET N-CH 900V 13A ISOPLUS247 |
| IXFR26N100P | MOSFET N-CH 1000V 15A ISOPLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFR21N100Q_03 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 |
| IXFR230N20T | 功能描述:MOSFET GigaMOS Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR24N100 | 功能描述:MOSFET 1KV 22A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR24N100_08 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS247 |
| IXFR24N100Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。