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参数资料
| 型号： | IXFR24N100 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1KV 22A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 22A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 390 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 267nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 416W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | Q1157068B |
HiPerFET TM Power
MOSFET
ISOPLUS247 TM
(Electrically Isolated Back Surface)
IXFR24N100
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
≤
≤
1000V
22A
390m Ω
250ns
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
ISOPLUS247
Symbol
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
Maximum Ratings
1000
1000
± 20
± 30
V
V
V
V
E153432
I D25
I DM
I A
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
22
96
24
A
A
A
Isolated Tab
E AS
T C = 25 ° C
3
J
G = Gate
D = Drain
? Fast intrinsic Rectifier
dV/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
V ISOL
M d
Weight
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
1.6mm (0.062 in.) from case for 10s
Plastic body for 10s
50/60 Hz, RMS t = 1min
I ISOL ≤ 1mA t = 1s
Mounting force
5
416
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
2500
3000
20..120 / 4.5..27
5
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
° C
V~
V~
N/lb.
g
S = Source
Features
? Silicon chip on Direct-Copper-Bond
substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
? Low drain to tab capacitance(<30pF)
? Low R DS (on) HDMOS TM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Avalanche rated
l
Applications
? DC-DC converters
? Battery chargers
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
BV DSS V GS = 0V, I D = 3mA
V GS(th) V DS = V GS , I D = 8mA
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
1000 V
3.0 5.5 V
? Switched-mode and resonant-mode
power supplies
? DC choppers
? AC motor drives
Advantages
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSS
V GS = 0V
V GS = 10V, I D = 12A, Note 1
T J = 125 ° C
± 200 nA
100 μ A
2 mA
390 m Ω
? Easy assembly
? Space savings
? High power density
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS98599C(10/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFR24N90P | MOSFET N-CH 900V 13A ISOPLUS247 |
| IXFR26N100P | MOSFET N-CH 1000V 15A ISOPLUS247 |
| IXFR26N50Q | MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247 |
| IXFR26N50 | MOSFET N-CH 500V 26A ISOPLUS247 |
| IXFR26N60Q | MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFR24N100_08 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS247 |
| IXFR24N100Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR24N50 | 功能描述:MOSFET 22 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR24N50Q | 功能描述:MOSFET 22 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR24N80P | 功能描述:MOSFET 14 Amps 800V 0.42 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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