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参数资料
| 型号： | IXFR24N100Q3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247 |
| 特色产品： | Q3-Class HiPerFET? Power MOSFETs |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 490 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 140nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
Advance Technical Information
HiperFET TM
Power MOSFET
Q3-Class
(Electrically Isolated Tab)
IXFR24N100Q3
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
≤
≤
1000V
18A
490m Ω
300ns
N-Channel Enhancement Mode
Fast Intrinsic Rectifier
ISOPLUS247
E153432
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
V GSS
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
1000
1000
± 30
V
V
V
V GSM
I D25
Transient
T C = 25 ° C
± 40
18
V
A
G
D
S
Isolated Tab
I DM
I A
E AS
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
60
24
2
A
A
J
G = Gate
S = Source
D
= Drain
dv/dt
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
50
V/ns
P D
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
V ISOL
F C
Weight
T C = 25 ° C
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
50/60 Hz, 1 Minute
Mounting Force
500
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
2500
20..120/4.5..27
5
W
° C
° C
° C
° C
° C
V ～
N/lb.
g
Features
Silicon Chip on Direct-Copper Bond
(DCB) Substrate
Isolated Mounting Surface
Low Intrinsic Gate Resistance
2500V~ Electrical Isolation
Fast Intrinsic Rectifier
Avalanche Rated
Low Package Inductance
Advantages
High Power Density
Easy to Mount
Space Savings
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
BV DSS V GS = 0V, I D = 1mA
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
1000
V
Applications
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 4mA
V GS = ± 30V, V DS = 0V
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 125 ° C
3.5
6.5 V
± 200 nA
25 μ A
1.5 mA
DC-DC Converters
Battery Chargers
Switch-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
DC Choppers
Temperature and Lighting Controls
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 12A, Note 1
490 m Ω
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100394(10/11)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFR24N100 | MOSFET N-CH 1KV 22A ISOPLUS247 |
| IXFR24N90P | MOSFET N-CH 900V 13A ISOPLUS247 |
| IXFR26N100P | MOSFET N-CH 1000V 15A ISOPLUS247 |
| IXFR26N50Q | MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247 |
| IXFR26N50 | MOSFET N-CH 500V 26A ISOPLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFR24N50 | 功能描述:MOSFET 22 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR24N50Q | 功能描述:MOSFET 22 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR24N80P | 功能描述:MOSFET 14 Amps 800V 0.42 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR24N90P | 功能描述:MOSFET N-CH 900V 13A ISOPLUS247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:Polar™ HiPerFET™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IXFR24N90Q | 功能描述:MOSFET 22 Amps 900V 0.47W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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