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参数资料
| 型号： | IXFR20N100P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 11A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 640 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 126nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 230W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
Polar TM Power MOSFET
HiPerFET TM
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXFR20N100P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
= 1000V
= 11A
≤ 640 m Ω
≤ 300 ns
Fast Intrinsic Diode
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
ISOPLUS247 (IXFR)
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
I D25
I DM
I AR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
1000
1000
± 30
± 40
11
50
10
V
V
V
V
A
A
A
E153432
Isolated Tab
E AS
dV/dt
P D
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
500
15
230
mJ
V/ns
W
G = Gate
S = Source
D = Drain
T J
-55 ... +150
° C
T JM
T stg
T L
T SOLD
V ISOL
F C
Weight
Maximum lead temperature for soldering
Plastic body for 10s
50/60 Hz, RMS, 1 minute
Mounting force
150
-55 ... +150
300
260
2500
20..120/4.5..27
5
° C
° C
° C
° C
V~
N/lb.
g
Features
? Silicon chip on Direct-Copper-Bond
substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
? Low drain to tab capacitance(<30pF)
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
? Fast intrinsic Rectifier
Applications
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
BV DSS V GS = 0V, I D = 1mA
V GS(th) V DS = V GS , I D = 1mA
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
1000 V
3.5 6.5 V
?
?
?
?
?
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
DC-DC converters
Laser Drivers
AC and DC motor controls
Robotics and servo controls
I GSS
V GS = ± 30V, V DS = 0V
± 200
nA
Advantages
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0V
V GS = 10V, I D = 10A, Note 1
T J = 125 ° C
470
25 μ A
1.5 mA
640 m Ω
?
?
?
Easy assembly
Space savings
High power density
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99876A (04/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFR20N120P | MOSFET N-CH 1200V 13A ISOPLUS247 |
| IXFR20N80P | MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS247 |
| IXFR21N100Q | MOSFET N-CH 1KV 18A ISOPLUS247 |
| IXFR230N20T | MOSFET N-CH 200V 156A ISOPLUS247 |
| IXFR24N100Q3 | MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFR20N120P | 功能描述:MOSFET 26 Amps 1200V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR20N80P | 功能描述:MOSFET 10 Amps 800V 0.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR21N100Q | 功能描述:MOSFET 18 Amps 1000V 0.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR21N100Q_03 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 |
| IXFR230N20T | 功能描述:MOSFET GigaMOS Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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