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参数资料
| 型号： | IXFR20N80P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 500 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 85nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4680pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 166W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
PolarHV TM HiPerFET
IXFC 20N80P
V DSS = 800 V
Power MOSFET
I D25
IXFR 20N80P
Electrically Isolated Back Surface
N-Channel Enhancement Mode
Fast Recovery Diode
Avalanche Rated
= 10 A
R DS(on) ≤ 500 m Ω
t rr ≤ 250 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
ISOPLUS220 TM (IXFC)
V DSS
V DGR
V GSS
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M Ω
Continuous
800
800
± 30
V
V
V
E153432
V GSM
I D25
Transient
T C = 25 ° C
± 40
11
V
A
G
D
S
Isolated back surface
I DM
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
60
A
I AR
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
10
30
1.0
10
A
mJ
J
V/ns
ISOPLUS247 TM (IXFR)
E153432
T J ≤ 150 ° C, R G = 3 Ω
P D
T C = 25 ° C
166
W
Isolated back surface
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
D = Drain
T L
V ISOL
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
50/60 Hz, RMS, t = 1minute, leads-to-tab
300
2500
° C
V~
Features
Silicon chip on Direct-Copper-Bond
substrate
F C
Weight
Mounting Force
ISOPLUS220
ISOPLUS247
(IXFC)
(IXFR)
11..65 / 2.5..15
20..120 / 4.5..25
2
5
N/lb
N/lb
g
g
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
Low drain to tab capacitance(<30pF)
Applications
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
DC-DC converters
Battery chargers
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
800
V
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 30 V, V DS = 0 V
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
3.0
5.0
± 100
25
1
V
nA
μ A
mA
DC choppers
AC motor control
Advantages
Easy assembly
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 10 A
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
500
m Ω
Space savings
High power density
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99602E(08/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFR21N100Q | MOSFET N-CH 1KV 18A ISOPLUS247 |
| IXFR230N20T | MOSFET N-CH 200V 156A ISOPLUS247 |
| IXFR24N100Q3 | MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247 |
| IXFR24N100 | MOSFET N-CH 1KV 22A ISOPLUS247 |
| IXFR24N90P | MOSFET N-CH 900V 13A ISOPLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFR21N100Q | 功能描述:MOSFET 18 Amps 1000V 0.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR21N100Q_03 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 |
| IXFR230N20T | 功能描述:MOSFET GigaMOS Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR24N100 | 功能描述:MOSFET 1KV 22A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR24N100_08 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS247 |
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