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参数资料
| 型号： | IXFR20N80P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 500 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 85nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4680pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 166W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
IXFC 20N80P
IXFR 20N80P
20
Fig. 1. Output Characte r is tics
@ 25 o C
36
Fig. 2. Exte nde d Output Char acte ris tics
@ 25 o C
18
16
14
V GS = 10V
7V
6V
32
28
24
V GS = 10V
7V
6V
12
20
10
16
8
6
5V
12
4
2
0
8
4
0
5V
0
2
4
6
8
10
12
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
20
V D S - V olts
Fig. 3. Output Characte r is tics
@ 125 o C
2.6
V D S - V olts
Fig. 4. R DS(on ) Norm alize d to I D = 10A
V alue vs . Junction Te m pe r atur e
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
V GS = 10V
7V
6V
5V
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
V GS = 10V
I D = 20A
I D = 10A
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.6
V D S - V olts
Fig. 5. R DS(on) Nor m alize d to
I D = 10A V alue vs . Dr ain Cur re nt
12
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Dr ain Cur r e nt vs . Cas e
Te m pe r atur e
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
V GS = 10V
T J = 125 o C
T J = 25 o C
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - A mperes
? 2006 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFR21N100Q | MOSFET N-CH 1KV 18A ISOPLUS247 |
| IXFR230N20T | MOSFET N-CH 200V 156A ISOPLUS247 |
| IXFR24N100Q3 | MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFR21N100Q | 功能描述:MOSFET 18 Amps 1000V 0.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| IXFR230N20T | 功能描述:MOSFET GigaMOS Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR24N100 | 功能描述:MOSFET 1KV 22A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR24N100_08 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS247 |
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