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参数资料
| 型号： | IXFR20N80P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 500 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 85nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4680pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 166W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
IXFC 20N80P
IXFR 20N80P
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
ISOPLUS220 (IXFC) Outline
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
g fs
C iss
C oss
C rss
V DS = 20 V; I D = 10 A, pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
12
23
4680
360
28
S
pF
pF
pF
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = V DSS , I D = 10 A
R G = 3 Ω (External)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 10 A
22
24
70
25
85
25
27
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Note:
Bottom heatsink (Pin 4) is
electrically isolated from Pin
1,2, or 3.
R thJC
0.75 ° C/W
R thCS
0.21
° C/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
IXYS CO 0177 R0
Symbol
I S
I SM
V SD
t rr
I RM
Q RM
Test Conditions
V GS = 0 V
Repetitive
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
I F = 20A, -di/dt = 100 A/ μ s
V R = 100 V; V GS = 0 V
Min. Typ. Max.
20
60
1.5
250
8
0.8
A
A
V
ns
A
μ C
ISOPLUS247 (IXFR) Outline
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344
6,727,585
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
4,881,106
5,017,508
5,034,796
5,063,307
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,534,343
6,583,505
6,710,405B2
6,710,463
6,759,692
6,771,478 B2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFR21N100Q | MOSFET N-CH 1KV 18A ISOPLUS247 |
| IXFR230N20T | MOSFET N-CH 200V 156A ISOPLUS247 |
| IXFR24N100Q3 | MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247 |
| IXFR24N100 | MOSFET N-CH 1KV 22A ISOPLUS247 |
| IXFR24N90P | MOSFET N-CH 900V 13A ISOPLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFR21N100Q | 功能描述:MOSFET 18 Amps 1000V 0.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR21N100Q_03 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 |
| IXFR230N20T | 功能描述:MOSFET GigaMOS Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR24N100 | 功能描述:MOSFET 1KV 22A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR24N100_08 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS247 |
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