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参数资料
| 型号： | IXFR15N80Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 600 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 90nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 250W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM Power MOSFETs IXFR 15N80Q V DSS
= 800 V
ISOPLUS247 TM Q Class
(Electrically Isolated Back Surface)
I D25
R DS(on)
= 13 A
= 0.60 W
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dV/dt
Low Gate Charge and Capacitances
Preliminary data
t rr ￡ 250 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
ISOPLUS 247 TM
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M W
800
800
V
V
V GS
V GSM
I D25
I DM
I AR
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Note 1
T C = 25 ° C
± 20
± 30
13
60
15
V
V
A
A
A
G
G = Gate
S = Source
D
Isolated back surface*
D = Drain
E AR
E AS
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ￡ I DM , di/dt ￡ 100 A/ m s, V DD ￡ V DSS
T J ￡ 150 ° C, R G = 2 W
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
30
1.0
5
250
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
mJ
J
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
* Patent pending
Features
? Silicon chip on Direct-Copper-Bond
substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
? Low drain to tab capacitance(<50pF)
V ISOL
Weight
50/60 Hz, RMS
t = 1 min
2500
5
V~
g
? Low R DS (on) HDMOS TM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
? Fast intrinsic Rectifier
Applications
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
? DC-DC converters
min. typ.
max.
? Battery chargers
V DSS
V GS = 0 V, I D = 3 mA
800
V
? Switched-mode and resonant-mode
power supplies
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V DS = V GS , I D = 4mA
V GS = ± 20 V, V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = 7.5A
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
2.0
4.5
± 100
25
1
0.60
V
nA
m A
mA
W
? DC choppers
? AC motor control
Advantages
? Easy assembly
? Space savings
Note 2
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
? 2000 IXYS All rights reserved
? High power density
98590A (7/00)
1-2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFR180N06 | MOSFET N-CH 60V 180A ISOPLUS247 |
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| IXFR180N10 | MOSFET N-CH 100V 165A ISOPLUS247 |
| IXFR180N15P | MOSFET N-CH 150V 100A ISOPLUS247 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IXFR16N80P | 功能描述:MOSFET Polar HiperFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR180N06 | 功能描述:MOSFET 180 Amps 60V 0.005 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR180N07 | 功能描述:MOSFET 180 Amps 70V 0.006 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR180N085 | 功能描述:MOSFET 180 Amps 85V 0.007 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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