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参数资料
| 型号： | IXFP8N50PM |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 4.4A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 800 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1050pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 42W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
PolarHV TM HiPerFET
Power MOSFET
(Electrically Isolated Tab)
IXFP 8N50PM
V DSS
I D25
R DS(on)
trr
= 500 V
= 4.4 A
≤ 0.8 ?
≤ 200 ns
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
OVERMOLDED TO-220
(IXTP...M) OUTLINE
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
Transient
500
500
±30
±40
V
V
V
V
I D25
I DM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
4.4
14
A
A
G
D
S
Isolated Tab
I AR
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
8
20
300
10
A
mJ
mJ
V/ns
G = Gate
S = Source
D = Drain
T J ≤ 150 ° C, R G = 18 ?
P D
T C = 25 ° C
42
W
Plastic overmolded tab for electrical
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
° C
° C
° C
° C
° C
Features
l
M d
Mounting torque
1.13/10 Nm/lb.in.
l
isolation
International standard package
Weight
4
g
l
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
l
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
l
Fast Intrinsic Diode
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
500
V
Advantages
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 1 mA
V GS = ± 30 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
3.0
5.5
± 100
5
500
V
nA
μ A
μ A
l
l
l
Easy to mount
Space savings
High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 4 A
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
0.8
?
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99484E(04/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFR100N25 | MOSFET N-CH 250V 87A ISOPLUS247 |
| IXFR102N30P | MOSFET N-CH 300V 60A ISOPLUS247 |
| IXFR10N100Q | MOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247 |
| IXFR140N20P | MOSFET N-CH 200V 90A ISOPLUS247 |
| IXFR140N30P | MOSFET N-CH 300V 70A ISOPLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFQ10N80P | 功能描述:MOSFET 10 Amps 800V 1.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFQ12N80P | 功能描述:MOSFET 12 Amps 800V 0.85 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFQ14N80P | 功能描述:MOSFET 14 Amps 800V 0.72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFQ20N50P3 | 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFQ21N50Q | 功能描述:MOSFET 21 Amps 500V 0.250 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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