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参数资料
| 型号： | IXFP3N50PM |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 2.7A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 欧姆 @ 1.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 409pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 36W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
PolarHV TM HiPerFET
Power MOSFET
(Electrically Isolated Tab)
IXFP 3N50PM
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
≤
≤
500
2.7
2.0
200
V
A
?
ns
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
OVERMOLDED TO-220
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
Transient
500
500
± 30
± 40
V
V
V
V
(IXTP...M) OUTLINE
I D25
I DM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
2.7
8
A
A
G
D
S
Isolated Tab
I AR
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
3
10
100
10
A
mJ
mJ
V/ns
G = Gate
S = Source
D = Drain
T J ≤ 150 ° C, R G = 50 ?
P D
T C = 25 ° C
36
W
Plastic overmolded tab for electrical
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
Features
l
T L
T SOLD
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
300
260
° C
° C
l
l
isolation
Fast intrinsic diode
International standard package
M d
Weight
Mounting torque
1.13/10 Nm/lb.in.
4 g
l
l
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
Advantages
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
l
Easy to mount
BV DSS
V GS(th)
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 250 μ A
500
3.0
5.5
V
V
l
l
Space savings
High power density
I GSS
V GS = ± 30 V DC , V DS = 0
± 100
nA
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = 1.8 A
Note 1
T J = 125 ° C
5
200
2.0
μ A
μ A
?
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99509E(04/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFP5N100P | MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220 |
| IXFP7N80PM | MOSFET N-CH 800V 3.5A TO-220 |
| IXFP8N50PM | MOSFET N-CH 500V 4.4A TO-220 |
| IXFR100N25 | MOSFET N-CH 250V 87A ISOPLUS247 |
| IXFR102N30P | MOSFET N-CH 300V 60A ISOPLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFP3N80 | 功能描述:MOSFET 3.6 Amps 800V 3.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFP4N100P | 功能描述:MOSFET 4 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFP4N100PM | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Polar HiperFET Power MOSFET |
| IXFP4N100Q | 功能描述:MOSFET 4 Amps 1000V 2.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFP4N100QM | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET Q-Class |
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