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参数资料
| 型号： | IXFP10N80P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 10A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.1 欧姆 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 2.5mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2050pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
PolarHV TM HiPerFET
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXFA10N80P
IXFP10N80P
IXFQ10N80P
IXFH10N80P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
= 800V
= 10A
≤ 1.1 Ω
≤ 250ns
Fast Intrinsic Diode
TO-263 AA (IXFA)
TO-220AB (IXFP)
TO-3P (IXFQ)
G
S
D (TAB)
G
DS
D (TAB)
G
D
S
D (TAB)
Symbol
V DSS
V DGR
V GSS
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Maximum Ratings
800
800
± 30
V
V
V
TO-247 (IXFH)
V GSM
I D25
I DM
I A
E AS
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
± 40
10
30
5
600
V
A
A
A
mJ
G
G = Gate
S = Source
D
S
D (TAB)
D = Drain
TAB = Drain
dV/dt
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
10
V/ns
P D
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
T C = 25 ° C
1.6mm (0.062) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
W
° C
° C
° C
° C
° C
Features
International Standard Packages
Avalanche Rated
Low Package Inductance
Easy to Drive and to Protect
M d
Weight
Mounting Torque
TO-263
TO-220
TO-3P
TO-247
(TO-220,TO-247)
1.13 / 10
2.5
3.0
5.5
6.0
Nm/lb.in.
g
g
g
g
Advantages
Easy to Mount
Space Savings
High Power Density
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Applications
Switched-Mode and Resonant-Mode
BV DSS
V GS = 0V, I D = 250 μ A
800
V
Power Supplies
DC-DC Converters
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 2.5mA
V GS = ± 30V, V DS = 0V
V DS = V DSS , V GS = 0V
3.0
5.5
± 100
25
V
nA
μ A
Laser Drivers
AC and DC Motor Drives
Robotics and Servo Controls
T J = 150 ° C
500
μ A
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
1.1
Ω
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99432F(08/09)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFP110N15T2 | MOSFET N-CH 150V 110A TO-220 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFP110N15T2 | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 110A TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:* 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IXFP12N50P | 功能描述:MOSFET HiPERFET Id12 BVdass500 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFP12N50PM | 功能描述:MOSFET 6 Amps 500V 2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFP130N10T | 功能描述:MOSFET 130 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFP130N10T2 | 功能描述:MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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