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参数资料
| 型号： | IXFP10N80P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 10A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.1 欧姆 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 2.5mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2050pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXFA10N80P IXFP10N80P
IXFQ10N80P IXFH10N80P
10
Fig. 2. Output Characteristics
@ 25 o C
18
Fig. 3. Extended Output Characteristics
@ 25 o C
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
V GS = 10V
8V
7V
6V
5V
16
14
12
10
8
6
4
2
0
V GS = 10V
8V
7V
6V
5V
0
2
4
6
8
10
12
14
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
10
V D S - Volts
Fig. 4. Output Characteristics
@ 125 o C
3.2
V D S - Volts
Fig. 5. R DS(on ) Normalized to 0.5 I D25 Value
vs. Junction Temperature
9
8
7
6
V GS = 10V
7V
6V
2.8
2.4
2.0
V GS = 10V
I D = 10A
5
4
3
2
1
0
5V
1.6
1.2
0.8
0.4
I D = 5A
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.0
V D S - Volts
Fig. 6. R DS(on) Normalized to
0.5 I D25 Value vs. I D
11
10
T J - Degrees Centigrade
Fig. 7. Drain Current vs. Case
Temperature
2.6
V GS = 10V
9
2.2
1.8
1.4
T J = 125 o C
8
7
6
5
4
3
1.0
0.6
T J = 25 o C
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
- Amperes
T C - Degrees Centigrade
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFP110N15T2 | MOSFET N-CH 150V 110A TO-220 |
| IXFP12N50PM | MOSFET N-CH 500V 6A TO-220 |
| IXFP3N50PM | MOSFET N-CH 500V 2.7A TO-220 |
| IXFP5N100P | MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220 |
| IXFP7N80PM | MOSFET N-CH 800V 3.5A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFP110N15T2 | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 110A TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:* 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IXFP12N50P | 功能描述:MOSFET HiPERFET Id12 BVdass500 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFP12N50PM | 功能描述:MOSFET 6 Amps 500V 2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFP130N10T | 功能描述:MOSFET 130 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFP130N10T2 | 功能描述:MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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