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参数资料
| 型号： | IXFP7N100P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 7A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.9 欧姆 @ 3.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 47nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2590pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
Polar TM HiPerFET TM
Power MOSFETs
IXFA7N100P
IXFP7N100P
IXFH7N100P
V DSS
I D25
R DS(on)
= 1000V
= 7A
≤ 1.9 Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-263 AA (IXFA)
Fast Intrinsic Rectifier
G
S
D (Tab)
Symbol
V DSS
V DGR
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Maximum Ratings
1000
1000
V
V
TO-220AB (IXFP)
V GSS
V GSM
Continuous
Transient
± 30
± 40
V
V
G
DS
D (Tab)
I D25
I DM
I A
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
7
18
7
300
A
A
A
mJ
TO-247 (IXFH)
dv/dt
P D
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
10
300
V/ns
W
G
D
S
D (Tab)
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
D = Drain
Tab = Drain
T L
T SOLD
M d
Weight
1.6mm (0.062) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
Mounting Torque (TO-220 & TO-247)
TO-263
TO-220
TO-247
300
260
1.13 / 10
2.5
3.0
6.0
° C
° C
Nm/lb.in.
g
g
g
Features
International Standard Packages
Fast Intrinsic Rectifier
Avalanche Rated
Low R DS(ON) and Q G
Low Package Inductance
Advantages
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
High Power Density
Easy to Mount
BV DSS
V GS = 0V, I D = 250 μ A
1000
V
Space Savings
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 1mA
V GS = ± 30V, V DS = 0V
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 125 ° C
3.0
6.0 V
± 100 nA
15 μ A
1.0 mA
Applications
Switch-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
DC-DC Converters
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
1.9
Ω
Laser Drivers
AC and DC Motor Drives
Robotics and Servo Controls
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99924B(11/11)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-LC736-200 | OSC 200 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| FXO-LC736-210 | OSC 210 MHZ 3.3V LVDS SMD |
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| E2G0203S | SWITCH ROTARY LEVER DP-3POS |
| M2022SD3W03 | SW TOGGLE DPDT BAT THR SILVER PC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFP7N80P | 功能描述:MOSFET 7 Amps 800V 1.44 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFP7N80PM | 功能描述:MOSFET 4 Amps 800V 1.44 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFP8N50P3 | 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFP8N50PM | 功能描述:MOSFET 4.4 Amps 500V 0.8 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFQ10N80P | 功能描述:MOSFET 10 Amps 800V 1.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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