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参数资料
| 型号： | IXFP7N100P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 7A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.9 欧姆 @ 3.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 47nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2590pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXFA7N100P IXFA7N100P
IXFH7N100P
7
Fig. 1. Output Characteristics @ TJ = 25oC
14
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ TJ = 25oC
6
5
V GS = 10V
8V
12
10
V GS = 10V
8V
7V
4
3
8
6
7V
2
6V
4
1
2
6V
0
5V
0
5V
0
2
4
6
8
10
12
14
0
5
10
15
20
25
30
35
7
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
V GS = 10V
3.0
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 3.5A Value vs.
Junction Temperature
6
5
4
3
2
1
0
8V
7V
6V
5V
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
0.2
V GS = 10V
I D = 7A
I D = 3.5A
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.6
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 3.5A Value
vs. Drain Current
8.0
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.4
2.2
V GS = 10V
T J = 125oC
7.0
6.0
2.0
5.0
1.8
4.0
1.6
3.0
1.4
1.2
1.0
0.8
T J = 25oC
2.0
1.0
0.0
0
2
4
6
8
10
12
14
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-LC736-200 | OSC 200 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| FXO-LC736-210 | OSC 210 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| E2G0203N-2 | SWITCH ROTARY LEVER DP-3POS |
| E2G0203S | SWITCH ROTARY LEVER DP-3POS |
| M2022SD3W03 | SW TOGGLE DPDT BAT THR SILVER PC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFP7N80P | 功能描述:MOSFET 7 Amps 800V 1.44 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFP7N80PM | 功能描述:MOSFET 4 Amps 800V 1.44 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFP8N50P3 | 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFP8N50PM | 功能描述:MOSFET 4.4 Amps 500V 0.8 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFQ10N80P | 功能描述:MOSFET 10 Amps 800V 1.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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