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参数资料
| 型号： | IXFR24N50 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 230 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 250W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
IXFR 24N50
IXFR 26N50
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ.
max.
ISOPLUS 247 (IXFR) OUTLINE
g fs
V DS = 15 V; I D = I T
Note 1
11
21
S
C iss
4200
pF
C oss
C rss
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
450
135
pF
pF
t d(on)
16
25
ns
t r
t d(off)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = I T
R G = 1 W (External),
33
65
45
80
ns
ns
t f
30
40
ns
1 Gate, 2 Drain (Collector)
3 Source (Emitter)
4 no connection
Q g(on)
135
160
nC
Q gs
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = I T
28
40
nC
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
A 1
A 2
Q gd
R thJC
62
85
0.50
nC
K/W
A 4.83 5.21
2.29 2.54
1.91 2.16
b 1.14 1.40
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
R thCK
0.15
K/W
b 1
b 2
1.91 2.13
2.92 3.12
.075 .084
.115 .123
C 0.61 0.80
D 20.80 21.34
E 15.75 16.13
.024 .031
.819 .840
.620 .635
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
e 5.45 BSC
L 19.81 20.32
L1 3.81 4.32
Q 5.59 6.20
R 4.32 4.83
.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 .244
.170 .190
I S
V GS = 0 V
26
A
S 13.21 13.72
.520 .540
T 15.75 16.26
.620 .640
I SM
V SD
Repetitive; pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V, Note 1
104
1.5
A
V
U 1.65 3.03
.065 .080
t rr
Q RM
I RM
I F = I s , -di/dt = 100 A/ m s,
V R = 100 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
1
2
10
15
250
400
1.5
ns
ns
m C
m C
A
A
Note: 1. Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
2. I T test current: IXFR26N50 I T = 13A
IXFR24N50 I T = 12A
3.See IXFH26N50 data sheet for characteristic curves.
? 2000 IXYS All rights reserved
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
2-2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| A12405RNZB | SWITCH ROTARY SP 4POS NON-SHORT |
| M2024SS1G01-BA | SW TOGGLE SP3T THR CAP SILV SLD |
| 5707.0801.113 | MOD POWER ENTRY W/FILTER 8A |
| SI4561DY-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC |
| HS13Z | SWITCH ROTARY SINGLE POLE 4POS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFR24N50Q | 功能描述:MOSFET 22 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR24N80P | 功能描述:MOSFET 14 Amps 800V 0.42 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR24N90P | 功能描述:MOSFET N-CH 900V 13A ISOPLUS247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:Polar™ HiPerFET™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IXFR24N90Q | 功能描述:MOSFET 22 Amps 900V 0.47W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR25N90 | 功能描述:MOSFET 25 Amps 900V 0.32W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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