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参数资料
| 型号： | SI4561DY-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35.5 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 640pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1666 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI4561DY-T1-GE3DKR |
Si4561DY
Vishay Siliconix
N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
N-Channel
P-Channel
V DS
(V)
40
- 40
R DS(on) ( Ω )
0.0355 at V GS = 10 V
0.0425 at V GS = 4.5 V
0.035 at V GS = - 10 V
0.047 at V GS = - 4.5 V
I D (A) a
6.8
6.2
- 7.2
- 6.2
Q g
(Typ.)
5.3
17
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Available
? TrenchFET ? Power MOSFET
APPLICATIONS
? Backlight Inverter for LCD Display
SO-8
D 1
S 2
S 1
1
8
D 1
G 1
S 2
G 2
2
3
4
7
6
5
D 1
D 2
D 2
G 1
G 2
Top View
Ordering Information: Si4561DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si4561DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
S 1
N-Channel MOSFET
D 2
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Symbol
N-Channel
P-Channel
Unit
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
V DS
V GS
40
± 20
- 40
V
T C = 25 °C
6.8
- 7.2
5.6
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
T C = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
5.4
b, c
b, c
4.4
- 5.7
- 5.6 b, c
- 4.4 b, c
Pulsed Drain Current
I DM
20
- 20
A
Source-Drain Current Diode Current
Pulsed Source-Drain Current
T C = 25 °C
T A = 25 °C
I S
I SM
2.5
1.6 b, c
20
- 2.5
- 1.6 b, c
- 20
Single Pulse Avalanche Current
Single Pulse Avalanche Energy
L = 0 1 mH
I AS
E AS
7
2.45
15
11.25
mJ
T C = 25 °C
3.0
3.3
Maximum Power Dissipation
T C = 70 °C
T A = 25 °C
P D
1.9
2.0 b, c
2.10
2.0 b, c
W
T A = 70 °C
1.25 b, c
1.25 b, c
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 150
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
N-Channel
P-Channel
Parameter
Symbol
Typ.
Max.
Typ.
Max.
Unit
Maximum Junction-to-Ambient b,
d
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 10 s
Steady State
R thJA
R thJF
54
33
64
42
50
31
62.5
37
°C/W
Notes:
a. Based on T C = 25 °C.
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
c. t = 10 s.
d. Maximum under Steady State conditions is 120 °C/W.
Document Number: 69730
S09-0220-Rev. C, 09-Feb-09
www.vishay.com
1
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PDF描述 |
|---|---|
| HS13Z | SWITCH ROTARY SINGLE POLE 4POS |
| FVXO-PC73B-622.08 | OSC 622.08 MHZ 3.3V PECL SMD |
| HS13Y | SW ROTARY SP 6A NON SHORT 3POS |
| 5707.0801.112 | MOD POWER ENTRY W/FILTER 8A |
| FVXO-PC73B-625 | OSC 625 MHZ 3.3V PECL SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4562DY | 功能描述:MOSFET 20V 7.1/6.2A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4562DY | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET DUAL NP SO-8 |
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| SI4562DY-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 7.1/6.2A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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