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参数资料
| 型号： | SI4561DY-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35.5 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 640pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1666 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI4561DY-T1-GE3DKR |
Si4561DY
Vishay Siliconix
N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
10
1
0.1
0.01
0.001
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.20
0.16
0.12
0.0 8
0.04
0
I D = 5 A
T A = 125 °C
T A = 25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
0.4
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
8 0
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.2
0.0
I D = 5 mA
I D = 250 μA
64
4 8
- 0.2
32
- 0.4
- 0.6
- 0. 8
16
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0 . 0 0 1
0.01
0.1
1
1 0
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
Limited by R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
10
1 ms
1
10 ms
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
100 ms
1s
10 s
DC
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 69730
S09-0220-Rev. C, 09-Feb-09
www.vishay.com
5
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PDF描述 |
|---|---|
| HS13Z | SWITCH ROTARY SINGLE POLE 4POS |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4562DY | 功能描述:MOSFET 20V 7.1/6.2A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| SI4562DY-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 7.1/6.2A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4562DY-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 7.1/6.2A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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