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参数资料
| 型号： | IXFR24N90P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 900V 13A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 900V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 460 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 230W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
IXFR24N90P
24
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
50
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
22
20
V GS = 10V
9V
45
V GS = 10V
9V
40
18
16
35
14
8V
30
12
10
8
25
20
8V
6
7V
15
4
10
7V
2
0
6V
5
0
6V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
24
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
3.2
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 12A Value
vs. Junction Temperature
22
20
18
V GS = 10V
9V
3.0
2.8
2.6
V GS = 10V
2.4
16
14
12
10
8
6
4
2
0
8V
7V
6V
5V
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
I D = 24A
I D = 12A
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.8
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 12A Value
vs. Drain Current
14
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.6
V GS = 10V
T J = 125oC
12
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
T J = 25oC
10
8
6
4
2
0
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
44
48
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFR26N100P | MOSFET N-CH 1000V 15A ISOPLUS247 |
| IXFR26N50Q | MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247 |
| IXFR26N50 | MOSFET N-CH 500V 26A ISOPLUS247 |
| IXFR26N60Q | MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS247 |
| IXFR30N110P | MOSFET N-CH 1100V 16A ISOPLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFR24N90Q | 功能描述:MOSFET 22 Amps 900V 0.47W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR25N90 | 功能描述:MOSFET 25 Amps 900V 0.32W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR26N100P | 功能描述:MOSFET 26 Amps 1000V 0.39 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR26N120P | 功能描述:MOSFET 32 Amps 1200V 0.46 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR26N50 | 功能描述:MOSFET 24 Amps 500V 0.2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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