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参数资料
| 型号： | IXFR30N110P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1100V 16A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1100V（1.1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 400 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 235nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 13600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 320W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
OBSOLETE
IXFR30N110P
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
ISOPLUS247 (IXFR) Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
R Gi
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
V DS = 20V, I D = 15A, Note 1
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
Gate input resistance
Resistive Switching Times
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 15A
R G = 1 Ω (External)
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 15A
15
25
13.6
795
70
1.50
50
48
83
52
235
102
79
S
nF
pF
pF
Ω
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
R thJC
0.39 ° C /W
R thCS
0.15
° C /W
Source-Drain Diode
T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
I S
I SM
V SD
V GS = 0V
Repetitive, pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0V, Note 1
30
120
1.5
A
A
V
t rr
Q RM
I RM
I F = 20A, -di/dt = 100A/ μ s
V R = 100V, V GS = 0V
1.8
13
300 ns
μ C
A
Note 1: Pulse test, t ≤ 300 μ s; duty cycle, d ≤ 2%.
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or moreof the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFR30N60P | MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS247 |
| IXFR32N100P | MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247 |
| IXFR32N50Q | MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247 |
| IXFR32N80P | MOSFET N-CH 800V 20A ISOPLUS247 |
| IXFR34N80 | MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFR30N50 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 |
| IXFR30N50Q | 功能描述:MOSFET 30 Amps 500V 0.16 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR30N60P | 功能描述:MOSFET 600V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR32N100P | 功能描述:MOSFET 32 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR32N100Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/23A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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