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参数资料
| 型号： | IXFR30N110P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1100V 16A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1100V（1.1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 400 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 235nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 13600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 320W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
OBSOLETE
IXFR30N110P
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
30
V GS = 10V
70
25
8V
60
V GS = 10V
50
20
7V
40
15
10
7V
30
20
6V
5
0
6V
10
0
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
5
10
15
20
25
30
30
25
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
V GS = 10V
3.2
2.8
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 15A Value
vs. Junction Temperature
V GS = 10V
20
7V
2.4
2
I D = 30A
15
10
5
0
6V
5V
1.6
1.2
0.8
0.4
I D = 15A
0
5
10
15
20
25
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.6
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 15A Value
vs. Drain Current
18
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
V GS = 10V
T J = 125oC
T J = 25oC
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2011 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFR30N60P | MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS247 |
| IXFR32N100P | MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247 |
| IXFR32N50Q | MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247 |
| IXFR32N80P | MOSFET N-CH 800V 20A ISOPLUS247 |
| IXFR34N80 | MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFR30N50 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 |
| IXFR30N50Q | 功能描述:MOSFET 30 Amps 500V 0.16 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR30N60P | 功能描述:MOSFET 600V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR32N100P | 功能描述:MOSFET 32 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR32N100Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/23A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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