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参数资料
| 型号： | IXFR44N60 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 38A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 130 毫欧 @ 22A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 330nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
I D25
HiPerFET TM Power MOSFETs
ISOPLUS247 TM
(Electrically Isolated Back Surface)
Single MOSFET Die
IXFR 44N60
V DSS = 600 V
= 38 A
R DS(on) = 130 m W
t rr ￡ 250 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
ISOPLUS 247 TM
E153432
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M W
Continuous
Transient
600
600
± 20
± 30
V
V
V
V
I D25
I DM
I AR
E AR
E AS
dv/dt
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Note 1
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ￡ I DM , di/dt ￡ 100 A/ m s, V DD ￡ V DSS
T J ￡ 150 ° C, R G = 2 W
T C = 25 ° C
38
60
44
60
3
5
400
A
A
A
mJ
J
V/ns
W
G = Gate
S = Source
* Patent pending
Features
D = Drain
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
? Silicon chip on Direct-Copper-Bond
substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
T L
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s
300
° C
- 2500V electrical isolation
? Low drain to tab capacitance(<30pF)
V ISOL
Weight
50/60 Hz, RMS
t = 1 min
2500
5
V~
g
? Low R DS (on) HDMOS TM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
? Fast intrinsic Rectifier
Applications
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
? DC-DC converters
min. typ.
max.
? Battery chargers
V DSS
V GS(th)
I GSS
V GS = 0 V. I D = 250 m A
V DS = V GS . I D = 4mA
V GS = ± 20 V, V DS = 0
600
2.5
V
4.5 V
± 100 nA
? Switched-mode and resonant-mode
power supplies
? DC choppers
? AC & DC motor control
Advantages
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = I T
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
100 m A
2 mA
130 m W
?
?
?
Easy assembly
Space savings
High power density
Notes 2, 3
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
? 2000 IXYS All rights reserved
?
Low noise to ground
98728 (06/09/00)
1-2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFR44N80P | MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247 |
| IXFR48N50Q | MOSFET N-CH 500V 40A ISOPLUS247 |
| IXFR48N60P | MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247 |
| IXFR48N60Q3 | MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247 |
| IXFR4N100Q | MOSFET N-CH 1KV 3.5A ISOPLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFR44N80P | 功能描述:MOSFET DIODE Id26 BVdass800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR48N50Q | 功能描述:MOSFET 40 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR48N60P | 功能描述:MOSFET 600V 48A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR48N60Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/32A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR4N100Q | 功能描述:MOSFET 3.5 Amps 1000V 3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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