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参数资料
| 型号： | IXFR44N80P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 25A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 22A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 200nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 12000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
PolarHV TM HiPerFET
Power MOSFET
Electrically Isolated Tab
IXFR 44N80P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
= 800 V
= 25 A
≤ 200 m Ω
≤ 250 ns
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
ISOPLUS247 (IXFR)
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
I D25
I DM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M Ω
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
800
800
± 30
± 40
25
100
V
V
V
V
A
A
E153432
Isolated Tab
I AR
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
25
80
3.4
10
A
mJ
J
V/ns
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
T J ≤ 150 ° C, R G = 10 Ω
Silicon chip on Direct-Copper-Bond
P D
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
V ISOL
F C
Weight
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 seconds
50/60 Hz, RMS, 1 minute
Mounting force
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
2500
20..120 /4.5..25
5
W
° C
° C
° C
° C
° C
V~
N/lb
g
substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
Low drain to tab capacitance(<30pF)
Low R DS (on) HDMOS TM process
Rugged polysilicon gate cell structure
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Fast intrinsic Rectifier
Applications
DC-DC converters
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Battery chargers
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 800 μ A
800
V
DC choppers
AC motor control
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 8 mA
3.0
5.0
V
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = ± 30 V, V DS = 0 V
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = I T , Note 1
T J = 125 ° C
± 200
50
1.5
200
nA
μ A
mA
m Ω
Advantages
Easy assembly
Space savings
High power density
DS99504E(06/06)
? 2006 IXYS All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFR48N50Q | MOSFET N-CH 500V 40A ISOPLUS247 |
| IXFR48N60P | MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247 |
| IXFR48N60Q3 | MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247 |
| IXFR4N100Q | MOSFET N-CH 1KV 3.5A ISOPLUS247 |
| IXFR55N50 | MOSFET N-CH 500V 48A ISOPLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFR48N50Q | 功能描述:MOSFET 40 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR48N60P | 功能描述:MOSFET 600V 48A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR48N60Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/32A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR4N100Q | 功能描述:MOSFET 3.5 Amps 1000V 3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR50N50 | 功能描述:MOSFET 43 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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