- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录457 > IXFR44N80P (IXYS)MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFR44N80P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 25A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 22A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 200nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 12000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
IXFR 44N80P
70
60
Fig. 7. Input Adm ittance
90
80
Fig. 8. Transconductance
70
T J = - 40 ° C
50
40
30
T J = 125 ° C
25 ° C
- 40 ° C
60
50
40
25 ° C
125 ° C
30
20
20
10
0
10
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
0
10
20
30
40
50
60
70
80
140
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 400V
120
100
80
60
8
7
6
5
4
I D = 22A
I G = 10mA
40
20
0
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
3
2
1
0
0.3
0.4 0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1 1.2
1.3
0
25
50
75
100
125
150
175
200
V S D - Volts
Fig. 11. Capacitance
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
100000
10000
f = 1MHz
C iss
C oss
1.00
Resistance
1000
100
10
C rss
0.10
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pulse Width - Seconds
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFR48N50Q | MOSFET N-CH 500V 40A ISOPLUS247 |
| IXFR48N60P | MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247 |
| IXFR48N60Q3 | MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247 |
| IXFR4N100Q | MOSFET N-CH 1KV 3.5A ISOPLUS247 |
| IXFR55N50 | MOSFET N-CH 500V 48A ISOPLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFR48N50Q | 功能描述:MOSFET 40 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR48N60P | 功能描述:MOSFET 600V 48A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR48N60Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/32A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR4N100Q | 功能描述:MOSFET 3.5 Amps 1000V 3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR50N50 | 功能描述:MOSFET 43 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。