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参数资料
| 型号： | IXFR44N80P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 25A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 22A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 200nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 12000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
IXFR 44N80P
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
ISOPLUS247 (IXFR) Outline
Min. Typ. Max.
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
V DS = 20 V; I D = I T , Note 1
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 44 A
R G = 1 Ω (External)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = I T
27
43
12
910
30
28
22
75
27
200
67
65
S
nF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
R thJC
0.42 ° C/W
R thCS
0.15
° C/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Symbol
Test Conditions
Min. Typ. Max.
I S
I SM
V SD
t rr
Q RM
I RM
V GS = 0 V
Repetitive
I F = I S , V GS = 0 V, Note 1
I F = 22 A, -di/dt = 100 A/ μ s
V R = 100 V, V GS = 0 V
0.8
8.0
44
100
1.5
250
A
A
V
ns
μ C
A
Notes: 1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %;
2. Test current I T = 22 A.
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344
6,727,585 7,005,734 B2
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
4,881,106
5,017,508
5,034,796
5,063,307
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,534,343
6,583,505
6,710,405B2
6,710,463
6,759,692
6,771,478 B2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFR48N50Q | MOSFET N-CH 500V 40A ISOPLUS247 |
| IXFR48N60P | MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247 |
| IXFR48N60Q3 | MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247 |
| IXFR4N100Q | MOSFET N-CH 1KV 3.5A ISOPLUS247 |
| IXFR55N50 | MOSFET N-CH 500V 48A ISOPLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFR48N50Q | 功能描述:MOSFET 40 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR48N60P | 功能描述:MOSFET 600V 48A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR48N60Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/32A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR4N100Q | 功能描述:MOSFET 3.5 Amps 1000V 3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR50N50 | 功能描述:MOSFET 43 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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