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参数资料
| 型号： | IXFR48N50Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 40A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 24A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 190nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 310W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
IXFR 44N50Q
IXFR 48N50Q
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
ISOPLUS 247 OUTLINE
g fs
V DS = 10 V; I D = I T
Notes 2, 3
30
42
S
C iss
7000
pF
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = I T
R G = 1 ? (External), Notes 2, 3
960
230
33
22
75
10
pF
pF
ns
ns
ns
ns
Q g(on)
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = I T
Notes 2, 3
190
40
86
nC
nC
nC
1 Gate, 2 Drain (Collector)
3 Source (Emitter)
4 no connection
R thJC
R thCK
0.15
0.40
K/W
K/W
Dim.
A
A 1
A 2
Millimeter
Min. Max.
4.83 5.21
2.29 2.54
1.91 2.16
Inches
Min. Max.
.190 .205
.090 .100
.075 .085
b
b 1
b 2
1.14 1.40
1.91 2.13
2.92 3.12
.045 .055
.075 .084
.115 .123
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
C
D
E
e
L
0.61 0.80
20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
19.81 20.32
.024 .031
.819 .840
.620 .635
.215 BSC
.780 .800
I S
I SM
V GS = 0 V
Repetitive; Note 1
48
192
A
A
L1
Q
R
3.81 4.32
5.59 6.20
4.32 4.83
.150 .170
.220 .244
.170 .190
V SD
t rr
Q RM
I RM
I F = I T , V GS = 0 V, Notes 2, 3
I F = 25A,-di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
1.0
10
1.5
250
V
ns
μ C
A
Note: 1. Pulse width limited by T JM
2. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
3. IXFR44N50Q: I T = 22 A
IXFR48N50Q: I T = 24 A
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFR48N60P | MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247 |
| IXFR48N60Q3 | MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247 |
| IXFR4N100Q | MOSFET N-CH 1KV 3.5A ISOPLUS247 |
| IXFR55N50 | MOSFET N-CH 500V 48A ISOPLUS247 |
| IXFR58N20Q | MOSFET N-CH 200V 50A ISOPLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFR48N60P | 功能描述:MOSFET 600V 48A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR48N60Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/32A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR4N100Q | 功能描述:MOSFET 3.5 Amps 1000V 3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR50N50 | 功能描述:MOSFET 43 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR52N30Q | 功能描述:MOSFET 52 Amps 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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