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参数资料
| 型号： | IXFT12N90Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 900V 12A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 900V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 900 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 90nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
Power MOSFETs
Q Class
IXFH 12N90Q
IXFT 12N90Q
V DSS
I D25
R DS(on)
= 900 V
= 12 A
= 0.9 W
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Low Q g , High dv/dt
Preliminary data sheet
t rr ￡ 200 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 AD (IXFH)
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
I D25
I DM
I AR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M W
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C,
pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
900
900
± 20
± 30
12
48
12
V
V
V
V
A
A
A
E AR
dv/dt
P D
T C = 25 ° C
I S ￡ I DM , di/dt ￡ 100 A/ m s, V DD ￡ V DSS ,
T J ￡ 150 ° C, R G = 2 W
T C = 25 ° C
30
5
300
mJ
V/ns
W
TO-268 (D3) ( IXFT)
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
G
S
T L
M d
Weight
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
Mounting torque
TO-247 AD
300
1.13/10
6
° C
Nm/lb.in.
g
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
TO-268
4
g
Features
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
? IXYS advanced low Q g process
? Low gate charge and capacitances
- easier to drive
- faster switching
V DSS
V GS = 0 V, I D = 3 mA
900
V
? International standard packages
? Low R DS (on)
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 4 mA
2.5
5.5
V
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
? Molding epoxies meet UL 94 V-0
I GSS
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
± 100
nA
flammability classification
I DSS
V DS = 0.8 ? V DSS
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
50
1
m A
mA
Advantages
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
0.9
W
? Easy to mount
? Space savings
? High power density
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
? 2000 IXYS All rights reserved
98572 (11/98)
1-2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFT13N80Q | MOSFET N-CH 800V 13A TO-268 |
| IXFT140N10P | MOSFET N-CH 100V 140A TO-268 |
| IXFT14N100 | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-268 |
| IXFT14N80P | MOSFET N-CH 800V 14A TO-268 |
| IXFT150N20T | MOSFET N-CH 200V 150A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT13N100 | 功能描述:MOSFET 1KV 12.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT13N80Q | 功能描述:MOSFET 13 Amps 800V 0.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT13N90 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFT140N10P | 功能描述:MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT14N100 | 功能描述:MOSFET 14 Amps 1000V 0.75 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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