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参数资料
| 型号： | IXFT14N80P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 14A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 720 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 61nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXFH 14N80P IXFQ 14N80P
IXFT 14N80P IXFV 14N80P IXFV 14N80PS
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
TO-247 (IXFH) Outline
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
g fs
V DS = 20 V; I D = 0.5 I D25 , pulse test
8
15
S
C iss
C oss
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
3900
250
pF
pF
1
2
3
C rss
t d(on)
19
26
pF
ns
t r
t d(off)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = I D25
R G = 5 Ω (External)
29
62
ns
ns
Terminals: 1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
Tab - Drain
t f
27
ns
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
A 1
Q g(on)
61
nC
A 4.7 5.3
2.2 2.54
.185 .209
.087 .102
A 2
b 1
b 2
Q gs
Q gd
R thJC
R thCS
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
(TO-247, TO-3P)
18
20
0.21
nC
nC
0.31 ° C/W
° C/W
2.2 2.6
b 1.0 1.4
1.65 2.13
2.87 3.12
C .4 .8
D 20.80 21.46
E 15.75 16.26
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
e 5.20 5.72
L 19.81 20.32
0.205 0.225
.780 .800
Source-Drain Diode
Characteristic Values
L1 4.50
.177
Symbol
Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
? P 3.55 3.65
Q 5.89 6.40
R 4.32 5.49
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
I S
I SM
V SD
t rr
Q RM
I RM
V GS = 0 V
Repetitive
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
I F = 25A,
-di/dt = 100 A/ μ s
V R = 100V
0.4
5
14
40
1.5
250
A
A
V
ns
μ C
A
S 6.15 BSC
TO-268 (IXFT) Outline
242 BSC
PLUS220SMD (IXFV_S) Outline
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFT150N20T | MOSFET N-CH 200V 150A TO-268 |
| IXFT15N100Q3 | MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268 |
| IXFT15N100Q | MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268 |
| IXFT15N80Q | MOSFET N-CH 800V 15A TO-268 |
| IXFT16N80P | MOSFET N-CH 800V 16A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT150N17T2 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:TrenchT2 HiperFET Power MOSFET |
| IXFT150N20T | 功能描述:MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT15N100 | 功能描述:MOSFET 15 Amps 1000V 0.7 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT15N100Q | 功能描述:MOSFET 15 Amps 1000V 0.725 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT15N100Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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