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参数资料
| 型号： | IXFT16N80P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 16A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 600 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 71nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 460W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
I D25
PolarHV TM
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Fast Recovery Diode
IXFH 16N80P
IXFT 16N80P
IXFV 16N80P
IXFV 16N80PS
V DSS = 800 V
= 16 A
R DS(on) ≤ 600 m Ω
t rr ≤ 250 ns
Avalanche Rated
TO-247 (IXFH)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
T J = 25 ° C to 150 ° C
800
V
V DGR
V GSS
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M Ω
Continuous
800
± 30
V
V
G
D
S
V GSM
I D25
I DM
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
± 40
16
40
V
A
A
TO-268 (IXFT)
I AR
E AR
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
8
30
A
mJ
G
S
D (TAB)
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
1.0
10
J
V/ns
PLUS220 (IXFV)
T J ≤ 150 ° C, R G = 5 Ω
P D
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
460
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
W
° C
° C
° C
° C
° C
G
D
S
PLUS220SMD (IXFV...S)
D (TAB)
M d
Mounting torque (TO-247)
1.13/10 Nm/lb.in.
F C
Mounting force (PLUS220)
11..65/2.5..15
N/lb
G
Weight
TO-247
TO-268
PLUS220 & PLUS220SMD
6.0
5.0
4.0
g
g
g
G = Gate
S = Source
S
D (TAB)
D = Drain
TAB = Drain
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Features
Fast Recovery diode
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
800
V
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 30 V, V DS = 0 V
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
3.0
5.0
± 100
25
250
V
nA
μ A
μ A
International standard packages
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
Easy to mount
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
600
m Ω
Space savings
High power density
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99599E(07/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFT17N80Q | MOSFET N-CH 800V 17A TO-268(D3) |
| IXFT18N100Q3 | MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268 |
| IXFT18N90P | MOSFET N-CH 900V 18A TO268 |
| IXFT20N60Q | MOSFET N-CH 600V 20A TO-268 |
| IXFT20N80P | MOSFET N-CH 800V 20A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT16N90Q | 功能描述:MOSFET 16 Amps 900V 0.65 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT17N80Q | 功能描述:MOSFET 17 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT18N100Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT18N90P | 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT20N100P | 功能描述:MOSFET 20 Amps 1000V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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