型号: | IXFT18N100Q3 |
厂商: | IXYS |
文件页数: | 1/5页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268 |
标准包装: | 30 |
系列: | HiPerFET™ |
FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss): | 1000V(1kV) |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 18A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 660 毫欧 @ 9A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 6.5V @ 4mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 90nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 4890pF @ 25V |
功率 - 最大: | 830W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA |
供应商设备封装: | TO-268 |
包装: | 管件 |