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参数资料
| 型号： | IXFT21N50Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 21A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 21A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 250 毫欧 @ 10.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 84nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 280W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
Power MOSFETs
Q-Class
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, Low Q g , High dv/dt
IXFH 21N50Q
IXFT 21N50Q
V DSS = 500 V
I D25 = 21 A
R DS(on) = 0.25 ?
t rr ≤ 250 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 AD (IXFH)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
500
500
V
V
V GS
V GSM
I D25
I DM
I AR
E AR
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
± 30
± 40
21
84
21
30
V
V
A
A
A
mJ
TO-268 (D3) ( IXFT)
(TAB)
E AS
dv/dt
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
1.5
15
mJ
V/ns
G
S
(TAB)
P D
T J
T JM
T stg
T L
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
280
-55 to +150
150
-55 to +150
300
W
° C
° C
° C
° C
G = Gate D = Drain
S = Source TAB = Drain
Features
M d
Mounting torque
1.13/10 Nm/lb.in.
l
IXYS advanced low Q g process
Weight
TO-247
TO-268
6
4
g
g
l
Low gate charge and capacitances
- easier to drive
- faster switching
l
International standard packages
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
l
l
Low R DS (on)
Rated for unclamped Inductive load
switching (UIS) rated
V DSS
V GS(th)
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 4 mA
500
2.5
4.5
V
V
l
Molding epoxies meet UL 94 V-0
flammability classification
Easy to mount
I GSS
I DSS
V GS = ± 30 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
± 100
25
1
nA
μ A
mA
Advantages
l
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
0.25
?
l
l
Space savings
High power density
? 2004 IXYS All rights reserved
98718B(02/04)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFT23N60Q | MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3) |
| IXFT23N80Q | MOSFET N-CH 800V 23A TO-268(D3) |
| IXFT24N80P | MOSFET N-CH 800V 24A TO-268 |
| IXFT26N60P | MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3 |
| IXFT26N60Q | MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT23N60Q | 功能描述:MOSFET 23 Amps 600V 0.32W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT23N80Q | 功能描述:MOSFET 23 Amps 800V 0.40W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT24N50 | 功能描述:MOSFET 24 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT24N50Q | 功能描述:MOSFET 24 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT24N80P | 功能描述:MOSFET 24 Amps 800V 0.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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