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参数资料
| 型号： | IXFT24N80P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 24A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 400 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 105nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 650W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
I D25
PolarHV TM HiPerFET
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
IXFH 24N80P
IXFK 24N80P
IXFT 24N80P
V DSS = 800 V
= 24 A
R DS(on) ≤ 400 m Ω
t rr ≤ 250 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 (IXFH)
V DSS
V DGR
V GSS
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M Ω
Continuous
800
800
± 30
V
V
V
V GSM
Transient
± 40
V
G
D
S
D (TAB)
I D25
T C = 25 ° C
24
A
I DM
I AR
E AR
E AS
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
55
12
50
1.5
A
A
mJ
J
TO-268 (IXFT) Case Style
G
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 Ω
T C = 25 ° C
10
650
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V/ns
W
° C
° C
° C
S
TO-264 AA (IXFK)
D (TAB)
M d
Mounting torque (TO-247 & TO-264)
1.13/10 Nm/lb.in.
Weight
TO-247
6
g
G
TO-268
TO-264
5
10
g
g
D
S
(TAB)
T L
T SOLD
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
300
260
° C
° C
G = Gate
S = Source
D = Drain
Tab = Drain
Features
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
BV DSS V GS = 0 V, I D = 250 μ A
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
800 V
International standard packages
Fast recovery diode
Unclamped Inductive Switching (UIS)
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 30 V, V DS = 0 V
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
3.0
5.0
± 100
25
1000
V
nA
μ A
μ A
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
400
m Ω
Easy to mount
Space savings
High power density
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99572E(07/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFT26N60P | MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3 |
| IXFT26N60Q | MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 |
| IXFT30N60P | MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3 |
| IXFT320N10T2 | MOSFET N-CH 100F 320A TO-268 |
| IXFT32N50Q | MOSFET N-CH 500V 32A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT24N90P | 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT26N50 | 功能描述:MOSFET 26 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT26N50Q | 功能描述:MOSFET 26 Amps 500V 0.2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT26N55Q | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
| IXFT26N60 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
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