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参数资料
| 型号： | IXFT30N60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3 |
| 产品目录绘图： | TO-268 Package |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 240 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 82nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
PolarHV TM HiPerFET
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Fast Recovery Diode
IXFH 30N60P
IXFT 30N60P
IXFV 30N60P
IXFV 30N60PS
V DSS = 600 V
I D25 = 30 A
R DS(on) ≤ 240 m ?
t rr ≤ 200 ns
Avalanche Rated
PLUS220 (IXFV)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
600
600
V
V
G
D
S
D (TAB)
V GSS
V GSM
I D25
I DM
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
± 30
± 40
30
80
V
V
A
A
PLUS220 SMD (IXFV...S)
I AR
E AR
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
30
50
A
mJ
G
S
D (TAB)
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
1.5
20
J
V/ns
TO-247 (IXFH)
T J ≤ 150 ° C, R G = 4 ?
P D
T C = 25 ° C
500
W
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
G
D
S
D (TAB)
T L
T SOLD
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
300
260
° C
° C
TO-268 (IXFT)
M d
F C
Mounting torque
Mounting force
(TO-247)
(PLUS220)
1.13/10 Nm/lb.in.
11..65/2.5..15 N/lb.
Weight
TO-247
TO-268
PLUS220
6
5
4
g
g
g
G
G = Gate
S
D = Drain
D (TAB)
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
S = Source
TAB = Drain
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
600
V
Fast Recovery diode
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 4 mA
2.5
5.0
V
Features
l
I GSS
I DSS
V GS = ± 30 V, V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
± 100
25
250
nA
μ A
μ A
l
l
l
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
International standard packages
Low package inductance
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
240
m ?
- easy to drive and to protect
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99316E(03/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFT320N10T2 | MOSFET N-CH 100F 320A TO-268 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT30N60Q | 功能描述:MOSFET 30 Amps 600V 0.23W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT320N10T2 | 功能描述:MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT32N50 | 功能描述:MOSFET 32 Amps 500V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT32N50Q | 功能描述:MOSFET 500V 32A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT340N075T2 | 功能描述:MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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