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参数资料
| 型号： | IXFT340N075T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 340A TO268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchT2™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 340A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.2 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 3mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 300nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 19000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 935W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
Advance Technical Information
TrenchT2 TM HiPerFET TM
Power MOSFET
IXFH340N075T2
IXFT340N075T2
V DSS
I D25
R DS(on)
= 75V
= 340A
≤ 3.2m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
TO-247 (IXFH)
Symbol
V DSS
Test Conditions
T J = 25 ° C to 175 ° C
Maximum Ratings
75
V
G
D
S
D (TAB)
V DGR
T J = 25 ° C to 175 ° C, R GS = 1M Ω
75
V
V GSM
I D25
Transient
T C = 25 ° C (Chip Capability)
± 20
340
V
A
TO-268 (IXFT)
I LRMS
I DM
I A
E AS
Lead Current Limit, RMS
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
160
850
170
960
A
A
A
mJ
G
S
D (TAB)
P D
T J
T C = 25 ° C
935
-55 ... +175
W
° C
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
T JM
175
° C
T stg
T L
T sold
M d
Weight
1.6mm (0.062in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10 seconds
Mounting Torque (TO-247)
TO-247
TO-268
-55 ... +175
300
260
1.13 / 10
6
4
° C
° C
° C
Nm/lb.in.
g
g
Features
International Standard Packages
175°C Operating Temperature
High Current Handling Capability
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
Low R DS(on)
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
BV DSS V GS = 0V, I D = 1mA
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
75
V
Advantages
Easy to Mount
Space Savings
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 3mA
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSS , V GS = 0V
2.0
4.0
± 200
25
V
nA
μ A
High Power Density
Applications
T J = 150 ° C
1.5 mA
DC/DC Converters and Off-line UPS
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 100A, Note 1
3.2 m Ω
Primary- Side Switch
High Current Switching Applications
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100194(9/09)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFT400N075T2 | MOSFET N-CH 75V 400A TO-268 |
| IXFT40N30Q | MOSFET N-CH 300V 40A TO-268 |
| IXFT40N50Q | MOSFET N-CH 500V 40A TO-268 |
| IXFT42N50P2 | MOSFET N-CH 500V 42A TO268 |
| IXFT4N100Q | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT36N50P | 功能描述:MOSFET 500V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT36N60P | 功能描述:MOSFET 600V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT400N075T2 | 功能描述:MOSFET TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT40N30Q | 功能描述:MOSFET 300V 40A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT40N50Q | 功能描述:MOSFET 40 Amps 500V 0.14W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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