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参数资料
| 型号： | IXFT340N075T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 340A TO268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchT2™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 340A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.2 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 3mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 300nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 19000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 935W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXFH340N075T2
IXFT340N075T2
70
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
R G = 1 ? , V GS = 10V
70
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
R G = 1 ? , V GS = 10V
65
V DS = 37.5V
65
V DS = 37.5V
T J = 125oC
60
60
55
I
D
= 200A
55
50
I
D
= 100A
50
T J = 25oC
45
40
45
40
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
100
110
120
130
140
150
160
170
180
190
200
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
400
90
50
90
350
300
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC , V GS = 10V
V DS = 37.5V
I D = 200A
80
70
45
40
t f t d(off) - - - -
R G = 1 ? , V GS = 10V
V DS = 37.5V
85
80
250
60
35
75
200
50
30
I D = 100A, 200A
70
150
100
50
0
I D = 100A
40
30
20
10
25
20
15
10
65
60
55
50
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
48
85
500
400
44
40
36
t f t d(off) - - - -
R G = 1 ? , V GS = 10V
V DS = 37.5V
80
75
70
450
400
350
300
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC , V GS = 10V
V DS = 37.5V
360
320
280
240
250
200
32
T J = 25oC, 125oC
65
200
I D = 200A
I D = 100A
160
28
24
20
60
55
50
150
100
50
0
120
80
40
0
100
110
120
130
140
150
160
170
180
190
200
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
I D - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
R G - Ohms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFT400N075T2 | MOSFET N-CH 75V 400A TO-268 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT36N50P | 功能描述:MOSFET 500V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT36N60P | 功能描述:MOSFET 600V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT400N075T2 | 功能描述:MOSFET TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT40N30Q | 功能描述:MOSFET 300V 40A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT40N50Q | 功能描述:MOSFET 40 Amps 500V 0.14W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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