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参数资料
| 型号： | IXFT340N075T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 340A TO268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchT2™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 340A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.2 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 3mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 300nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 19000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 935W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXFH340N075T2
IXFT340N075T2
Fig. 19. Maximum Transient Thermal Impedance
1.00
Fig. 19. Maximum Transient Thermal Impedance
0.20
0.10
0.01
afaf
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF: F_340N075T2(V8)9-15-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFT400N075T2 | MOSFET N-CH 75V 400A TO-268 |
| IXFT40N30Q | MOSFET N-CH 300V 40A TO-268 |
| IXFT40N50Q | MOSFET N-CH 500V 40A TO-268 |
| IXFT42N50P2 | MOSFET N-CH 500V 42A TO268 |
| IXFT4N100Q | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT36N50P | 功能描述:MOSFET 500V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT36N60P | 功能描述:MOSFET 600V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT400N075T2 | 功能描述:MOSFET TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT40N30Q | 功能描述:MOSFET 300V 40A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT40N50Q | 功能描述:MOSFET 40 Amps 500V 0.14W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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