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参数资料
| 型号： | IXFT42N50P2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 42A TO268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarP2™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 42A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 145 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 92nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 830W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
Polar2 TM HiperFET TM
Power MOSFET
IXFH42N50P2
IXFT42N50P2
V DSS
I D25
R DS(on)
= 500V
= 42A
≤ 145m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
TO-247 (IXFH)
Symbol
V DSS
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
Maximum Ratings
500
V
G
D
S
D (Tab)
V DGR
V GSS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
500
± 30
± 40
V
V
V
TO-268 (IXFT)
G
I D25
I DM
I A
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25 ° C
42
126
42
A
A
A
S
D (Tab)
E AS
dv/dt
P D
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150°C
T C = 25 ° C
1.4
15
830
J
V/ns
W
G = Gate
S = Source
D = Drain
Tab = Drain
T J
-55 ... +150
° C
T JM
T stg
T L
T sold
M d
Weight
1.6mm (0.062in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10 seconds
Mounting Torque (TO-247)
TO-247
TO-268
150
-55 ... +150
300
260
1.13 / 10
6
4
° C
° C
° C
° C
Nm/lb.in.
g
g
Features
International Standard Packages
Fast Intrinsic Diode
Avalanche Rated
Low R DS(ON) and Q G
Low Package Inductance
Advantages
High Power Density
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Easy to Mount
Space Savings
BV DSS
V GS = 0V, I D = 1mA
500
V
Applications
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 4mA
V GS = ± 30V, V DS = 0V
2.5
4.5
± 100
V
nA
Switch-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
I DSS
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 125 ° C
10 μ A
1 mA
DC-DC Converters
Laser Drivers
AC and DC Motor Drives
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
145 m Ω
Robotics and Servo Controls
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100255A(9/11)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFT4N100Q | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-268 |
| IXFT50N30Q3 | MOSFET N-CH 300V 50A TO-268 |
| IXFT50N60P3 | MOSFET N-CH 600V 50A TO268 |
| IXFT52N30Q | MOSFET N-CH 300V 52A TO-268 |
| IXFT52N50P2 | MOSFET N-CH 500V 52A TO268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT44N50P | 功能描述:MOSFET 500V 44A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT44N50Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/44A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT4N100 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
| IXFT4N100Q | 功能描述:MOSFET 4 Amps 1000V 2.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT50N20 | 功能描述:MOSFET 50 Amps 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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