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参数资料
| 型号： | IXFT50N60P3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 50A TO268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Polar3™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 145 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 94nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1040W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
Polar3 TM HiperFET TM
Power MOSFETs
IXFT50N60P3
IXFQ50N60P3
IXFH50N60P3
V DSS
I D25
R DS(on)
= 600V
= 50A
≤ 145m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Rectifier
TO-268 (IXFT)
G
TO-3P (IXFQ)
S
D (Tab)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
T J = 25 ° C to 150 ° C
600
V
V DGR
V GSS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
600
± 30
± 40
V
V
V
G
D
S
D (Tab)
I D25
I DM
I A
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
50
125
25
1
A
A
A
J
TO-247 (IXFH)
dv/dt
P D
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150°C
T C = 25 ° C
35
1040
V/ns
W
G
D
S
D (Tab)
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
D = Drain
Tab = Drain
T L
T sold
M d
Weight
1.6mm (0.062in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10 seconds
Mounting Torque (TO-247 & TO-3P)
TO-268
TO-3P
TO-247
300
260
1.13 / 10
4.0
5.5
6.0
° C
° C
Nm/lb.in.
g
g
g
Features
Fast Intrinsic Rectifier
Avalanche Rated
Low R DS(ON) and Q G
Low Package Inductance
Advantages
High Power Density
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Easy to Mount
Space Savings
BV DSS
V GS = 0V, I D = 1mA
600
V
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 4mA
V GS = ± 30V, V DS = 0V
3.0
5.0
± 100
V
nA
Applications
Switch-Mode and Resonant-Mode
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 125 ° C
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
25 μ A
2 mA
145 m Ω
Power Supplies
DC-DC Converters
Laser Drivers
AC and DC Motor Drives
Robotics and Servo Controls
? 2012 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100310A(01/12)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFT52N30Q | MOSFET N-CH 300V 52A TO-268 |
| IXFT52N50P2 | MOSFET N-CH 500V 52A TO268 |
| IXFT58N20Q | MOSFET N-CH 200V 58A TO-268 |
| IXFT58N20 | MOSFET N-CH 200V 58A TO-268 |
| IXFT69N30P | MOSFET N-CH 300V 69A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT52N30 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 52A I(D) | TO-268 |
| IXFT52N30Q | 功能描述:MOSFET 300V 52A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT52N50P2 | 功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT58N20 | 功能描述:MOSFET 58 Amps 200V 0.08W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT58N20Q | 功能描述:MOSFET 200V 58A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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