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参数资料
型号： IXFT50N60P3
厂商： IXYS
文件页数： 5/5页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 600V 50A TO268
标准包装： 30
系列： Polar3™ HiPerFET™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 50A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 145 毫欧 @ 500mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 94nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 6300pF @ 25V
功率 - 最大： 1040W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
供应商设备封装： TO-268
包装： 管件
IXFT50N60P3 IXFQ50N60P3
IXFH50N60P3
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Impedance
1
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Impedance
0.2
0.1
0.01
0.001
AAAAA
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
? 2012 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
IXYS REF: F_50N60P3(W8)03-10-11
相关PDF资料
PDF描述
IXFT52N30Q MOSFET N-CH 300V 52A TO-268
IXFT52N50P2 MOSFET N-CH 500V 52A TO268
IXFT58N20Q MOSFET N-CH 200V 58A TO-268
IXFT58N20 MOSFET N-CH 200V 58A TO-268
IXFT69N30P MOSFET N-CH 300V 69A TO-268
相关代理商/技术参数
参数描述
IXFT52N30 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 52A I(D) | TO-268
IXFT52N30Q 功能描述:MOSFET 300V 52A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT52N50P2 功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT58N20 功能描述:MOSFET 58 Amps 200V 0.08W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT58N20Q 功能描述:MOSFET 200V 58A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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