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参数资料
| 型号： | IXFT50N60P3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 50A TO268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Polar3™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 145 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 94nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1040W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXFT50N60P3 IXFQ50N60P3
IXFH50N60P3
50
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
100
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
45
40
35
30
V GS = 10V
7V
90
80
70
60
V GS = 10V
8V
7V
6V
25
20
15
10
50
40
30
20
6V
5
0
5V
10
0
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
0
5
10
15
20
25
30
50
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
3.4
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 25A Value vs.
Junction Temperature
45
V GS = 10V
7V
3.0
V GS = 10V
40
35
30
25
20
6V
2.6
2.2
1.8
1.4
I D = 50A
I D = 25A
15
10
5
0
5V
4V
1.0
0.6
0.2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.0
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 25A Value vs.
Drain Current
V GS = 10V
60
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
T J = 125oC
T J = 25oC
50
40
30
20
10
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2012 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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