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参数资料
| 型号： | IXFT42N50P2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 42A TO268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarP2™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 42A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 145 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 92nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 830W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXFH42N50P2
IXFT42N50P2
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
TO-247 Outline
g fs
C iss
V DS = 20V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
23
36
5300
S
pF
C oss
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
555
pF
1
2
3
?P
C rss
43
pF
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Resistive Switching Times
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 3 Ω (External)
23
12
42
9
ns
ns
ns
ns
Terminals: 1 - Gate
e
2 - Drain
Q g(on)
92
nC
3 - Source
Q gs
Q gd
R thJC
R thCS
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
26
36
0.21
nC
nC
0.15 ° C/W
° C/W
Dim. Millimeter
Min. Max.
A 4.7 5.3
A 1 2.2 2.54
A 2 2.2 2.6
b 1.0 1.4
b 1 1.65 2.13
b 2 2.87 3.12
Inches
Min. Max.
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
C .4 .8
D 20.80 21.46
.016 .031
.819 .845
Source-Drain Diode
E 15.75 16.26
e 5.20 5.72
.610 .640
0.205 0.225
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
I S V GS = 0V
I SM Repetitive, Pulse Width Limited by T JM
V SD I F = I S , V GS = 0V, Note 1
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
42
168
1.3
A
A
V
L 19.81 20.32
L1 4.50
? P 3.55 3.65
Q 5.89 6.40
R 4.32 5.49
S 6.15 BSC
TO-268 Outline
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
t rr
I RM
Q RM
Note
I F = 21A, -di/dt = 100A/ μ s
V R = 85V, V GS = 0V
1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle, d ≤ 2%.
12
1.05
250
ns
A
μ C
Terminals: 1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
4 - Drain
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFT4N100Q | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-268 |
| IXFT50N30Q3 | MOSFET N-CH 300V 50A TO-268 |
| IXFT50N60P3 | MOSFET N-CH 600V 50A TO268 |
| IXFT52N30Q | MOSFET N-CH 300V 52A TO-268 |
| IXFT52N50P2 | MOSFET N-CH 500V 52A TO268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT44N50P | 功能描述:MOSFET 500V 44A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT44N50Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/44A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT4N100 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
| IXFT4N100Q | 功能描述:MOSFET 4 Amps 1000V 2.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT50N20 | 功能描述:MOSFET 50 Amps 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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