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参数资料
型号： IXFT32N50
厂商： IXYS
文件页数： 1/4页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 500V 32A TO-268
标准包装： 30
系列： HiPerFET™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 32A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 150 毫欧 @ 15A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 300nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 5700pF @ 25V
功率 - 最大： 360W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
供应商设备封装： TO-268
包装： 管件
HiPerFET TM
V DSS
I D25
R DS(on)
Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode
IXFH/IXFT 30N50
IXFH/IXFT 32N50
500 V
500 V
30 A
32 A
0.16 W
0.15 W
High dv/dt, Low t rr , HDMOS TM Family
t rr ￡ 250 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 AD (IXFH)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M W
500
500
V
V
V GS
V GSM
I D25
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
± 30
30N50
± 20
V
30
V
A
D (TAB)
32N50
32
A
I DM
I AR
T C = 25 ° C
pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
30N50
32N50
30N50
120
128
30
A
A
A
TO-268 (D3) Case Style
32N50
32
A
E AS
E AR
dv/dt
T C = 25 ° C
I D = 25 ° C
I S ￡ I DM , di/dt ￡ 100 A/ m s, V DD ￡ V DSS ,
T J ￡ 150 ° C, R G = 2 W
1.5
45
5
J
mJ
V/ns
G
G = Gate,
S
(TAB)
D = Drain,
P D
T C = 25 ° C
360
W
S = Source,
TAB = Drain
T J
T JM
T stg
T L
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
° C
° C
° C
° C
Features
? International standard packages
? Low R DS (on) HDMOS TM process
M d
Weight
Mounting torque
1.13/10
6
Nm/lb.in.
g
?
?
Rugged polysilicon gate cell structure
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
? Low package inductance
- easy to drive and to protect
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ.
max.
? Fast intrinsic Diode
Applications
V DSS
V GS(th)
I GSS
V GS = 0 V, I D = 1 mA
V DSS temperature coefficient
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS(th) temperature coefficient
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
500
2
± 100
0.102
-0.206
4
V
%/K
V
%/K
nA
? DC-DC converters
? Battery chargers
? Switched-mode and resonant-mode
power supplies
? DC choppers
? AC motor control
? Temperature and lighting controls
I DSS
V DS = 0.8 ? V DSS
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
200
1
m A
mA
Advantages
V GS = 10 V, I D = 15A
R DS(on)
32N50
30N50
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
0.15
0.16
W
W
? Easy to mount with 1 screw (TO-247)
(isolated mounting screw hole)
? Space savings
? High power density
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
? 2000 IXYS All rights reserved
97518H (6/99)
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相关PDF资料
PDF描述
IXFT340N075T2 MOSFET N-CH 75V 340A TO268
IXFT400N075T2 MOSFET N-CH 75V 400A TO-268
IXFT40N30Q MOSFET N-CH 300V 40A TO-268
IXFT40N50Q MOSFET N-CH 500V 40A TO-268
IXFT42N50P2 MOSFET N-CH 500V 42A TO268
相关代理商/技术参数
参数描述
IXFT32N50Q 功能描述:MOSFET 500V 32A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT340N075T2 功能描述:MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT36N50P 功能描述:MOSFET 500V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT36N60P 功能描述:MOSFET 600V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT400N075T2 功能描述:MOSFET TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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