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参数资料
型号： IXFT32N50
厂商： IXYS
文件页数： 2/4页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 500V 32A TO-268
标准包装： 30
系列： HiPerFET™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 32A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 150 毫欧 @ 15A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 300nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 5700pF @ 25V
功率 - 最大： 360W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
供应商设备封装： TO-268
包装： 管件
IXFH 30N50
IXFT 30N50
IXFH 32N50
IXFT 32N50
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
TO-247 AD (IXFH) Outline
min. typ. max.
g fs
C iss
V DS = 10 V; I D = 0.5 I D25 , pulse test
18
5200
28
5700
S
pF
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
R G = 2 W (External)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
640
240
35
42
110
26
227
29
750
310
45
50
140
35
300
40
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
Q gd
110
145
nC
Dim. Millimeter
Inches
R thJC
R thCK
(TO-247 Case Style)
0.25
0.35
K/W
K/W
A
B
Min. Max.
19.81 20.32
20.80 21.46
Min. Max.
0.780 0.800
0.819 0.845
C
D
E
F
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32 5.49
5.4 6.2
0.610 0.640
0.140 0.144
0.170 0.216
0.212 0.244
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
G
H
1.65 2.13
- 4.5
0.065 0.084
- 0.177
Symbol
Test Conditions
min. typ.
max.
J
1.0 1.4
0.040 0.055
I S
I SM
V GS = 0 V
Repetitive;
30N50
32N50
30N50
30
32
120
A
A
A
K
L
M
N
10.8 11.0
4.7 5.3
0.4 0.8
1.5 2.49
0.426 0.433
0.185 0.209
0.016 0.031
0.087 0.102
pulse width limited by T JM
32N50
128
A
V SD
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
1.5
V
t rr
Q RM
I F = I S
-di/dt = 100 A/ m s,
V R = 100 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = 25 ° C
0.85
250
400
ns
ns
m C
I RM
8
A
TO-268AA (D 3 PAK)
Dim.
A
A 1
A 2
b
b 2
C
D
E
E 1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
Millimeter
Min. Max.
4.9 5.1
2.7 2.9
.02 .25
1.15 1.45
1.9 2.1
.4 .65
13.80 14.00
15.85 16.05
13.3 13.6
5.45 BSC
18.70 19.10
2.40 2.70
1.20 1.40
1.00 1.15
0.25 BSC
3.80 4.10
Inches
Min. Max.
.193 .201
.106 .114
.001 .010
.045 .057
.75 .83
.016 .026
.543 .551
.624 .632
.524 .535
.215 BSC
.736 .752
.094 .106
.047 .055
.039 .045
.010 BSC
.150 .161
Min. Recommended Footprint
? 2000 IXYS All rights reserved
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
2-4
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
IXFT32N50Q 功能描述:MOSFET 500V 32A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT340N075T2 功能描述:MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT36N50P 功能描述:MOSFET 500V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT36N60P 功能描述:MOSFET 600V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT400N075T2 功能描述:MOSFET TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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