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参数资料
| 型号： | IXFT21N50Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 21A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 21A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 250 毫欧 @ 10.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 84nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 280W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXFH 21N50Q
IXFT 21N50Q
22
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 o C
60
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 o C
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
V GS = 10V
8V
7V
6V
5.5V
5V
4.5V
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
V GS = 10V
8V
7V
6.5V
6V
5.5V
5V
0
1
2 3
V D S - Volts
4
5
6
0
3
6
9
12 15 18
V D S - Volts
21
24
27
30
22
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 o C
2.8
Fig. 4. R DS(on ) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Junction Tem perature
20
18
16
14
V GS = 10V
8V
7V
6V
5.5V
2.5
2.2
1.9
V GS = 10V
12
10
8
5V
1.6
1.3
I D = 21A
I D = 10.5A
6
1
4
2
0
4.5V
0.7
0.4
0
2
4
6 8
V D S - Volts
10
12
14
-50
-25
0 25 50 75 100
T J - Degrees Centigrade
125
150
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to
Fig. 6. Drain Current vs. Case
3.4
3.1
2.8
2.5
0.5 I D25 Value vs. I D
V GS = 10V
T J = 125oC
24
21
18
15
Tem perature
2.2
12
1.9
1.6
9
1.3
1
0.7
T J = 25oC
6
3
0
0
5
10
15
20 25 30 35
I D - Amperes
40
45
50
55
60
-50
-25
0 25 50 75 100
T C - Degrees Centigrade
125
150
? 2004 IXYS All rights reserved
98718B(02/04)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFT23N60Q | MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3) |
| IXFT23N80Q | MOSFET N-CH 800V 23A TO-268(D3) |
| IXFT24N80P | MOSFET N-CH 800V 24A TO-268 |
| IXFT26N60P | MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3 |
| IXFT26N60Q | MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT23N60Q | 功能描述:MOSFET 23 Amps 600V 0.32W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT23N80Q | 功能描述:MOSFET 23 Amps 800V 0.40W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT24N50 | 功能描述:MOSFET 24 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT24N50Q | 功能描述:MOSFET 24 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT24N80P | 功能描述:MOSFET 24 Amps 800V 0.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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