- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录457 > IXFT17N80Q (IXYS)MOSFET N-CH 800V 17A TO-268(D3) Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFT17N80Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 17A TO-268(D3) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 17A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 600 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 95nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 散装 |
IXFH 17N80Q
IXFT 17N80Q
18
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
35
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
16
14
12
V GS = 10V
6V
30
25
V GS = 10V
7V
6V
10
8
5V
20
15
6
4
2
0
10
5
0
5V
0
2
4
6
8
10
12
0
5
10
15
20
25
30
V D S - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
V D S - Volts
Fig. 4. R DS(on) Norm alized to I D25 Value vs.
Junction Tem perature
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
V GS = 10V
6V
5V
3.1
2.8
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
0.4
V GS = 10V
I D = 17A
I D = 8.5A
0
5
10
15
20
25
30
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.8
V D S - Volts
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to I D25
Value vs. I D
18
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Tem perature
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
V GS = 10V
T J = 125oC
T J = 25oC
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2003 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFT18N100Q3 | MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268 |
| IXFT18N90P | MOSFET N-CH 900V 18A TO268 |
| IXFT20N60Q | MOSFET N-CH 600V 20A TO-268 |
| IXFT20N80P | MOSFET N-CH 800V 20A TO-268 |
| IXFT20N80Q | MOSFET N-CH 800V 20A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT18N100Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT18N90P | 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT20N100P | 功能描述:MOSFET 20 Amps 1000V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT20N60Q | 功能描述:MOSFET 20 Amps 600V 0.35 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT20N80P | 功能描述:MOSFET 20 Amps 800V 0.52 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。