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参数资料
| 型号： | IXFT20N100P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 20A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 570 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 126nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 660W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
Polar TM Power MOSFET
HiPerFET TM
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXFH20N100P
IXFT20N100P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
≤
≤
1000V
20A
570 m Ω
300 ns
Fast Intrinsic Diode
Symbol
V DSS
V DGR
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Maximum Ratings
1000
1000
V
V
TO-247 (IXFH)
V GSS
V GSM
I D25
I DM
I AR
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
± 30
± 40
20
50
10
V
V
A
A
A
TO-268 (IXFT)
TAB
E AS
dV/dt
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
800
15
mJ
V/ns
G
S
TAB
P D
T C = 25 ° C
660
W
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
T L
T SOLD
M d
Weight
Maximum lead temperature for soldering
Plastic body for 10s
Mounting torque (TO-247)
TO-247
TO-268
300
260
1.13/10
6
5
° C
° C
Nm/lb.in.
g
g
Features
International standard packages
Fast recovery diode
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
Easy to mount
Space savings
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
High power density
BV DSS
V GS = 0V, I D = 1mA
1000
V
Applications:
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 1mA
V GS = ± 30V, V DS = 0V
3.5
6.5
± 200
V
nA
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0V
T J = 125 ° C
25 μ A
1.5 mA
DC-DC Converters
Laser Drivers
AC and DC motor controls
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
470
570 m Ω
Robotics and servo controls
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99843B(04/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-LC736-622.08 | OSC 622.08 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| 4300.5065 | MOD PWR LINE FILTER W/INLET 10A |
| FXO-LC538-1 | OSC 1 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| 445I32K30M00000 | CRYSTAL 30.00000 MHZ 8PF SMD |
| M2032TXG30-DB | SWITCH ROCKER 3PDT 0.4VA 28V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT20N60Q | 功能描述:MOSFET 20 Amps 600V 0.35 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT20N80P | 功能描述:MOSFET 20 Amps 800V 0.52 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT20N80Q | 功能描述:MOSFET 20 Amps 800V 0.42 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT21N50F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT21N50Q | 功能描述:MOSFET 21 Amps 500V 0.25 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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