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参数资料
| 型号： | IXFT20N100P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 20A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 570 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 126nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 660W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXFH20N100P
IXFT20N100P
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
20
18
V GS = 10V
8V
40
35
V GS = 10V
16
14
30
9V
12
10
7V
25
20
8
6
15
8V
4
6V
10
2
0
5
0
7V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
0
5
10
15
20
25
30
20
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
3.0
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 10A Value
vs. Junction Temperature
18
V GS = 10V
9V
2.8
V GS = 10V
2.6
16
2.4
14
8V
2.2
12
10
2.0
1.8
I D = 20A
8
6
4
2
0
7V
6V
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
I D = 10A
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.6
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 10A Value
vs. Drain Current
22
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.4
V GS = 10V
T J = 125oC
20
18
2.2
16
2
1.8
1.6
1.4
14
12
10
8
6
1.2
1
0.8
T J = 25oC
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-LC736-622.08 | OSC 622.08 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| 4300.5065 | MOD PWR LINE FILTER W/INLET 10A |
| FXO-LC538-1 | OSC 1 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| 445I32K30M00000 | CRYSTAL 30.00000 MHZ 8PF SMD |
| M2032TXG30-DB | SWITCH ROCKER 3PDT 0.4VA 28V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT20N60Q | 功能描述:MOSFET 20 Amps 600V 0.35 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT20N80P | 功能描述:MOSFET 20 Amps 800V 0.52 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT20N80Q | 功能描述:MOSFET 20 Amps 800V 0.42 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT21N50F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT21N50Q | 功能描述:MOSFET 21 Amps 500V 0.25 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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