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参数资料
| 型号： | IXFT20N60Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 20A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 350 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 90nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXFH 20N60Q
IXFT 20N60Q
20
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
48
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
17.5
15
V GS = 10V
9V
8V
40
V GS = 10V
9V
8V
12.5
7V
6V
32
7V
10
24
7.5
5
16
6V
2.5
0
5V
8
0
5V
0
1
2
3 4 5
V DS - Volts
6
7
8
0
4
8
12
V DS - Volts
16
20
24
20
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D25 Value vs.
Junction Temperature
3
17.5
15
12.5
10
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
2.5
2
V GS = 10V
I D = 20A
7.5
5
5V
1.5
1
I D = 10A
2.5
0
0.5
0
3
6
9
12
15
18
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D25
Value vs. I D
24
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Temperature
2.5
V GS = 10V
T J = 125oC
20
16
2
12
1.5
8
1
0.5
T J = 25oC
4
0
0
10
20
30
40
50
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2003 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFT20N80P | MOSFET N-CH 800V 20A TO-268 |
| IXFT20N80Q | MOSFET N-CH 800V 20A TO-268 |
| IXFT21N50Q | MOSFET N-CH 500V 21A TO-268 |
| IXFT23N60Q | MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3) |
| IXFT23N80Q | MOSFET N-CH 800V 23A TO-268(D3) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT20N80P | 功能描述:MOSFET 20 Amps 800V 0.52 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT20N80Q | 功能描述:MOSFET 20 Amps 800V 0.42 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT21N50F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT21N50Q | 功能描述:MOSFET 21 Amps 500V 0.25 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT23N60Q | 功能描述:MOSFET 23 Amps 600V 0.32W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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