- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18249 > IXFT24N50 (IXYS)MOSFET N-CH 500V 24A TO-268 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IXFT24N50 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 24A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 230 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
Power MOSFETs
HiPerFET TM
IXFH/IXFM21N50
IXFH/IXFM/IXFT24N50
IXFH/IXFT26N50
N-Channel Enhancement Mode
High dv/dt, Low t rr , HDMOS TM Family
V DSS I D25 R DS(on)
500 V 21 A 0.25 ?
500 V 24 A 0.23 ?
500 V 26 A 0.20 ?
t rr ≤ 250 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 AD (IXFH)
V DSS
T J = 25 ° C to 150 ° C
500
V
V DGR
V GS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
Transient
500
± 20
± 30
V
V
V
TO-268 (D3) Case Style
(TAB)
I D25
T C = 25 ° C
21N50
24N50
21
24
A
A
I DM
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
26N50
21N50
26
84
A
A
G
I AR
T C = 25 ° C
24N50
26N50
21N50
96
104
21
A
A
A
S
TO-204 AE (IXFM)
(TAB)
24N50
26N50
24
26
A
A
E AR
T C = 25 ° C
30
mJ
dv/dt
P D
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
5
300
V/ n s
W
G = Gate,
S = Source,
D
D = Drain,
TAB = Drain
G
T J
T JM
T stg
T L
M d
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Mounting torque
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
1.13/10
° C
° C
° C
° C
Nm/lb.in.
Features
? International standard packages
? Low R DS (on) HDMOS TM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
? Low package inductance
- easy to drive and to protect
Weight
TO-204 = 18 g, TO-247 = 6 g
? Fast intrinsic Rectifier
Applications
? DC-DC converters
? Synchronous rectification
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
? Battery chargers
? Switched-mode and resonant-mode
power supplies
? DC choppers
V DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
500
V
? AC motor control
? Temperature and lighting controls
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = 0.8 ? V DSS
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
2
4
± 100
200
1
V
nA
μ A
mA
? Low voltage relays
Advantages
? Easy to mount with 1 screw (TO-247)
(isolated mounting screw hole)
? High power surface mountable package
? High power density
? 1999 IXYS All rights reserved
91525H (9/99)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 425F11K016M0000 | CRYSTAL 16.0 MHZ 8PF SMD |
| M2013SS1G03-BG | SW TOGGLE SPDT THR CAP .4VA PC |
| ALD110914PAL | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP |
| A24JW | SW TOGGLE BAT SP3T EXTENDED PC |
| B32674E8155K | FILM CAP 1.5UF 10% 875V MKP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT24N50Q | 功能描述:MOSFET 24 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT24N80P | 功能描述:MOSFET 24 Amps 800V 0.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT24N90P | 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT26N50 | 功能描述:MOSFET 26 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT26N50Q | 功能描述:MOSFET 26 Amps 500V 0.2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。