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参数资料
| 型号： | IXFT24N50 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 24A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 230 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXFH21N50
IXFM21N50
IXFH24N50
IXFM24N50
IXFT24N50
IXFH26N50
IXFM26N50
IXFT26N50
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
TO-247 AD (IXFH) Outline
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
R DS(on)
g fs
21N50
24N50
26N50
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
V DS = 10 V; I D = 0.5 I D25 , pulse test
11
21
0.25
0.23
0.20
?
?
?
S
1
2
3
Terminals:
1 - Gate
2 - Drain
3 - Source
Tab - Drain
C iss
4200
pF
C oss
C rss
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
450
135
pF
pF
t d(on)
16
25
ns
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
R G = 2 ? (External)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
33
65
30
135
28
62
45
80
40
160
40
85
ns
ns
ns
nC
nC
nC
A
A 1
A 2
b
b 1
b 2
C
D
E
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
.8
21.46
16.26
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
R thJC
R thCK
(TO-247 Case Style)
0.25
0.42 K/W
K/W
e
L
L1
5.20
19.81
5.72
20.32
4.50
0.205
.780
0.225
.800
.177
? P
3.55
3.65
.140
.144
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Q
R
S
5.89
4.32
6.15
6.40
5.49
BSC
0.232
.170
242
0.252
.216
BSC
Symbol
I S
Test Conditions
V GS = 0 V
21N50
Min.
Typ.
Max.
21
A
TO-204 AE (IXFM) Outline
24N50
26N50
24
26
A
A
I SM
Repetitive;
pulse width limited by T JM
21N50
24N50
26N50
84
96
104
A
A
A
V SD
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
1.5
V
25 ° C
-di/dt = 100 A/ μ s,
T J = 125 ° C
25 ° C
t rr T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
I F = I S
Q RM T J =
V R = 100 V
I RM T J =
T J = 125 ° C
Note 1: Add "S" suffix for TO-247 SMD package option (ex: IXFH24N50S)
1
2
10
15
250
400
ns
ns
μ C
μ C
A
A
Pins: 1 - Gate, 2 - Source, Case - Drain
Dim. Millimeter Inches
Min. Max. Min. Max.
A 6.4 11.4 .250 .450
A1 1.53 3.42 .060 .135
? b 1.45 1.60 .057 .063
? D 22.22 .875
e 10.67 11.17 .420 .440
e1 5.21 5.71 .205 .225
L 11.18 12.19 .440 .480
TO-268 Outline
? p
? p1
3.84
3.84
4.19
4.19
.151
.151
.165
.165
q
30.15 BSC
1.187 BSC
R
R1
s
12.58
3.33
16.64
13.33
4.77
17.14
.495
.131
.655
.525
.188
.675
Min. Recommended Footprint
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 425F11K016M0000 | CRYSTAL 16.0 MHZ 8PF SMD |
| M2013SS1G03-BG | SW TOGGLE SPDT THR CAP .4VA PC |
| ALD110914PAL | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP |
| A24JW | SW TOGGLE BAT SP3T EXTENDED PC |
| B32674E8155K | FILM CAP 1.5UF 10% 875V MKP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT24N50Q | 功能描述:MOSFET 24 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT24N80P | 功能描述:MOSFET 24 Amps 800V 0.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT24N90P | 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT26N50 | 功能描述:MOSFET 26 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT26N50Q | 功能描述:MOSFET 26 Amps 500V 0.2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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