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参数资料
| 型号： | IXFT24N50Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 24A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 230 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 95nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
V DSS
I D25
R DS(on)
Power MOSFETs
Q-Class
N-Channel Enhancement Mode
IXFH/IXFT 24N50Q
IXFH/IXFT 26N50Q
500 V 24 A
500 V 26 A
t rr ≤ 250 ns
0.23 ?
0.20 ?
Avalanche Rated, Low Q g , High dv/dt
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 AD (IXFH)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
500
500
V
V
V GS
V GSM
Continuous
Transient
± 20
± 30
V
V
(TAB)
I D25
I DM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Note 1
24N50Q
26N50Q
24N50Q
24
26
96
A
A
A
I AR
T C = 25 ° C
26N50Q
24N50Q
104
24
A
A
TO-268 (D3) (IXFT) Case Style
26N50Q
26
A
E AR
E AS
dv/dt
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
30
1.5
5
300
mJ
J
V/ns
W
G = Gate,
S = Source,
G
S
D = Drain,
TAB = Drain
(TAB)
T J
T JM
-55 ... +150
150
° C
° C
T stg
T L
M d
Weight
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
Mounting torque
TO-247
TO-268
-55 ... +150
300
1.13/10
6
4
° C
° C
Nm/lb.in.
g
g
Features
IXYS advanced low Q g process
International standard packages
Low R DS (on)
Unclamped Inductive Switching (UIS)
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
rated
Fast switching
min.
typ.
max.
Molding epoxies meet UL 94 V-0
V DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
500
V
flammability classification
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
2.5
4.5
± 100
V
nA
Advantages
Easy to mount
Space savings
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Note 2
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
24N50Q
26N50Q
25
1
0.23
0.20
μ A
mA
?
?
High power density
? 2003 IXYS All rights reserved
DS98512G(03/03)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK360N10T | MOSFET N-CH 100V 360A TO-264 |
| 5707.0601.113 | MOD POWER ENTRY W/FILTER 6A |
| A11205RNCQE | SWITCH ROTARY .5" 30DEG SP 12POS |
| A40315RNZQ | SWITCH ROTARY 4P 3POS EYELET |
| 5707.0601.112 | MOD POWER ENTRY W/FILTER 6A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT24N80P | 功能描述:MOSFET 24 Amps 800V 0.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT24N90P | 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT26N50 | 功能描述:MOSFET 26 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT26N50Q | 功能描述:MOSFET 26 Amps 500V 0.2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT26N55Q | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
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